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锗的应用与发展前景

Rare Metals and Cemented Carbides | Vol., Issue 1, 1992 | pp. 53-55
六十年代以前,锗一直是作为重要的半导体材料而被大量采用,以后由于硅材料的崛起,致使锗在半导体领域的用量一落千丈。然而由于其在红外、光纤、催化剂、医药、食品等领域的开发应用,锗仍然保持着一定的消耗量。
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美国难熔金属结构材料研究进展

Rare Metals and Cemented Carbides | Vol., Issue 1, 1992 | pp. 59-63
自二十世纪五十年代(即所谓太空时代)以来,难熔金属结构材料研究有了可喜的进步:提高了结构材料的高温强度;涂层的发展应用提高了难熔金属部件的稳定性。因此,这些材料在航空航天领域的应用有了重大突破:宇宙飞船姿态控制系统中的阀门应用了弥散强化钨合金,阿波罗登月舱和指令舱的火箭喷嘴应用了C-103铌合金(Nb-10Hf-1Ti-0.7Zr),等等。
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络合均相法生产钨酸工艺的除钼研究

Rare Metals and Cemented Carbides | Vol., Issue 4, 1991 | pp. 3-5
络合均相法生产钨酸是一项生产钨酸的新方法,它已用于工业生产。该方法有三个优点:一是省去人造白钨工序,从钨酸钠一步即可制得钨酸;二是可在常温、低酸度条件下进行;三是有一定的除钼作用。当钨沉淀90%时,钼沉淀40%;钨沉淀94%时,钼沉淀50%;前两个优点比较明显,第三个优点尚嫌不足。
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锗晶体生长与熔体深度和熔体体积的关系

Rare Metals and Cemented Carbides | Vol., Issue 4, 1991 | pp. 5-8
直拉法生长锗晶体时,电阻率的均匀性、小角晶界的产生以及晶体生长速度都同熔体动力学状态有很大的关系,而熔体的动力学状态与熔体的深度和体积有着直接的联系,控制了熔体的深度和体积,就能有效地控制晶体电阻率的均匀性、小角晶界的产生及晶体生长速度。
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稀土在纯麻织物染色中的应用研究

Rare Metals and Cemented Carbides | Vol., Issue 4, 1991 | pp. 8-11
本文研究了稀土在活性染料K型、KN型及M型对苎麻织物染色的作用,发现向染液中添加0.5%~1.0%(O、W、F)的氯化稀土时,能提高上染率5%~10%。经工业性生产试验表明,一段比原工艺节约染料5%~8%。 本应用研究于1991年元月通过了有色总公司长沙公司主持的技术鉴定。
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硬质合金的磁饱和

Rare Metals and Cemented Carbides | Vol., Issue 4, 1991 | pp. 17-24
本试验制备了在(WC+Co+η)区至(WC+Co-C)区域内具有不同含碳量的一系列合金,测定了这些合金的化学成分、组织结构和物理机械性能。通过试验结果探求磁饱和与其它各参量间的联系,为使磁饱和测量广泛用于质量控制进行了有益的探索。
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浸出过程的理论基础及实践——第二讲 浸出过程的热力学基础

Rare Metals and Cemented Carbides | Vol., Issue 4, 1991 | pp. 31-36
浸出过程的热力学主要是研究在一定条件下浸出反应进行的可能性、反应进行的限度及使反应进行所需的热力学条件,为解决这些问题,重要的方法是求出在给定温度T下反应的标准自由函变化△G_T^O及一定条件下反应的自由函变化△G_T、反应的平衡常数K,同时许多学者运用热力学原理及已有的热力学数据绘制了大量的电位-pH图。
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