锗晶体生长与熔体深度和熔体体积的关系 AITranslate
Abstract AITranslate
直拉法生长锗晶体时,电阻率的均匀性、小角晶界的产生以及晶体生长速度都同熔体动力学状态有很大的关系,而熔体的动力学状态与熔体的深度和体积有着直接的联系,控制了熔体的深度和体积,就能有效地控制晶体电阻率的均匀性、小角晶界的产生及晶体生长速度。
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DOI：
Chinese Library Classification Number:O781[理学—晶体学]
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直拉法生长锗晶体时,电阻率的均匀性、小角晶界的产生以及晶体生长速度都同熔体动力学状态有很大的关系,而熔体的动力学状态与熔体的深度和体积有着直接的联系,控制了熔体的深度和体积,就能有效地控制晶体电阻率的均匀性、小角晶界的产生及晶体生长速度。
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| GB/T 7714-2015 | [1] XIE Rui-qing. Rare Metals and Cemented Carbides, 1991(4): 5-8. |
| MLA | [1] XIE Rui-qing. Rare Metals and Cemented Carbides, no. 4, 1991, pp. 5-8. |
| APA | [1] XIE Rui-qing. (1991). Rare Metals and Cemented Carbides(4), 5-8. |
| IEEE | [1] XIE Rui-qing, Rare Metals and Cemented Carbides, no. 4, pp. 5-8, 1991. |