金刚石薄膜涂层技术的研究和应用 AITranslate
Abstract AITranslate
1955年美国的通用电气公司利用高温、高压在历史上首次成功合成金刚石。1981年,苏联和日本报道利用CVD法(化学气相沉积法)将甲烷(CH_4)和氢(H_2)的混合气体在低于latm的负压下以0.2—1.0微米/时的速度成长金刚石。近几年来,美、日等国积极开展金刚石涂层合成的研究,并开始广泛用于切削工具,耐磨零件以及电子、光学、音响设备等领域。
KeyWords AITranslate
1向军,饶丽.金刚石薄膜合成技术[J].四川工业学院学报,1999,18(3):47-52. 被引量：2
2刘新利,王世良,张泉,邓意达,贺跃辉.MoO2微/纳米片的气相合成和光学性能[J].材料研究学报,2010(1):17-24. 被引量：3
3王世良,贺跃辉,高程,黄伯云.氧化钨单晶纳米带和纳米线的气相合成[J].中国钨业,2008,23(1):33-37. 被引量：6
4王世良,刘新利,张泉,贺跃辉.单晶钨微/纳米晶须:气相合成、生长机理、性能测试和应用前景[J].中国钨业,2009,24(5):86-92. 被引量：2
5王天旭,蒙继龙,文命清.化学气相沉积金刚石薄膜衬底的研究进展[J].金属热处理,2002,27(9):16-18. 被引量：8
Basic Information:
DOI：
Chinese Library Classification Number:TG174.44[金属学及工艺—金属表面处理]
Citation Information:
1955年美国的通用电气公司利用高温、高压在历史上首次成功合成金刚石。1981年,苏联和日本报道利用CVD法(化学气相沉积法)将甲烷(CH_4)和氢(H_2)的混合气体在低于latm的负压下以0.2—1.0微米/时的速度成长金刚石。近几年来,美、日等国积极开展金刚石涂层合成的研究,并开始广泛用于切削工具,耐磨零件以及电子、光学、音响设备等领域。
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| GB/T 7714-2015 | [1] TANG Hua-sheng. Rare Metals and Cemented Carbides, 1989(1): 37-41. |
| MLA | [1] TANG Hua-sheng. Rare Metals and Cemented Carbides, no. 1, 1989, pp. 37-41. |
| APA | [1] TANG Hua-sheng. (1989). Rare Metals and Cemented Carbides(1), 37-41. |
| IEEE | [1] TANG Hua-sheng, Rare Metals and Cemented Carbides, no. 1, pp. 37-41, 1989. |