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1 实验

1 实验

1.1 前驱体制备

1.1 前驱体制备

1.2 硫化升温包裹

1.2 硫化升温包裹

1.3 样品表征

1.3 样品表征

2 结果与讨论

2 结果与讨论

2.1 前驱体在不同硫化温度下的性能分析

2.1 前驱体在不同硫化温度下的性能分析

2.2 不同物料比对包裹色料的影响

2.2 不同物料比对包裹色料的影响

3 结论

3 结论

参考文献:

参考文献:

溶胶–凝胶法制备ZrSiO4包裹型γ-Ce2S3色料及性能研究

程 思睿1李 月明1李 恺1宋 福生1孙 熠1
景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院,中国轻工业功能陶瓷材料重点实验室,江西省储能与转换陶瓷材料工程实验室,江西 景德镇 333403
摘要: γ-Ce2S3是一种无毒环保型大红无机色料,色泽鲜艳、遮盖力强、具有优异的抗紫外能力,但其抗氧化温度仅为350 ℃。为提升γ-Ce2S3大红色料的抗氧化温度,在色料外面包覆一层耐高温材料是提升色料抗氧化性能的重要手段。本文采用溶胶–凝胶法结合硫化升温工艺制备ZrSiO4包裹的γ-Ce2S3大红色料,以Ce(NO3)3·6H2O为铈源,ZrCl4为锆源,正硅酸四乙酯(TEOS)为硅源,乙二胺四乙酸(EDTA)为络合剂,HNO3为氧化剂,去离子水为共溶剂,LiF为矿化剂,NH3·H2O为pH调节剂,采用溶胶凝胶法制备Ce-Si-Zr-O前驱体粉体,以CS2为硫源,将前驱体硫化并升温制备ZrSiO4包裹型γ-Ce2S3大红色料,研究了前驱体粉体的不同铈锆比以及不同硫化温度对色料形貌的影响。结果表明: 当前驱体溶液中n(Ce)∶n(Zr)=1∶1(n为摩尔数),矿化剂LiF的存在降低了ZrSiO4的生成温度,促进了其在700 ℃下形成ZrSiO4包裹晶体。前驱体粉体在900 ℃硫化时可将CeO2硫化成α-Ce2S3,进一步在Ar的保护气氛下升温至1300 ℃转变为γ-Ce2S3,最终制备出抗氧化温度为610.3 ℃,色泽鲜艳(亮度值L*=30.26,红度值a*=37.71,黄度值b*=29.24)的γ-Ce2S3@ZrSiO4包裹型大红色料。
关键词: γ-Ce2S3大红色料;溶胶凝胶法;ZrSiO4;包裹型色料
基金: 国家自然科学基金项目(51462010);江西省自然科学基金项目(20171ACB20022,20161BAB206132,20202BABL204015)
收稿日期: 2023-10-20

γ-Ce2S3是法国Rhone Poulenc公司于1980年代推出的一种新型大红色颜料[1–2],由于其色泽鲜艳、遮盖力强并且无毒无害,被认为最有希望替代有毒的镉硒红的色料之一,近年来已成为各国研究的热点。然而γ-Ce2S3色料在350 ℃便开始氧化分解,并且遇酸会释放出有毒的H2S气体,这些特性使得γ-Ce2S3红色色料难以应用在高温领域。研究表明,在γ-Ce2S3色料外包覆一层SiO2,ZnO,Al2O3等透明材料,可在基本不影响色料色度的条件下,提高色料的亮度、抗酸腐蚀及热稳定性[3–4]。如陈镇华等[5]以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂、六次甲基四胺为沉淀剂,采用水解法制备ZnO包裹的γ-Ce2S3,达到了吸收γ-Ce2S3分解出的H2S并将γ-Ce2S3的抗氧化温度提高到380 ℃。Chen等[6]采用Stöber法制备了SiO2包裹γ-Ce2S3色料,成功地将其抗氧化温度提高到450 ℃左右。然而,ZnO包裹色料耐热性能有限,抗氧化温度低,加热易收缩,使得色料容易被氧化。目前研究较多的是采用SiO2对γ-Ce2S3进行包裹[7],但是SiO2在釉料的使用中会受到碱金属离子的破坏,从而失去对色料的保护效果。为了进一步提升γ-Ce2S3的温度稳定性及更好的耐酸性,需要采用稳定性更好的材料对其进行包裹。硅酸锆具有优良的化学稳定性及耐高温性能,是理想的包裹材料[8]。

硅酸锆属四方晶系,柱状晶体,纯硅酸锆粉体呈灰白色,除氢氟酸外,不与其他无机酸发生反应,具有高熔点和极好的化学及相稳定性,因此被用来作为色料的包裹体[9]。例如CdSxSe1–x色剂经ZrSiO4包裹以后,形成的CdSxSe1–x@ZrSiO4包裹色料可以在1200 ℃的高温条件下使用,其耐高温性得到了显著的提升[10]。然而ZrSiO4的合成温度高达1500 ℃,但在存在LiF的情况下,700 ℃便能很好的合成ZrSiO4晶体[11]。因此,本文采用溶胶–凝胶升温包裹法实现对γ-Ce2S3的包裹,首先制备生成Ce-Si-Zr-O前驱体粉体,再在CS2的气氛下硫化使CeO2被硫化为α-Ce2S3,进一步升高温度促进α-Ce2S3相转变为γ-Ce2S3[12]并形成γ-Ce2S3@ZrSiO4包裹色料。

1 实验

1.1 前驱体制备

采用分析纯的正硅酸四乙酯(TEOS)为硅源,Ce(NO3)3·6H2O为铈源,ZrCl4为锆源,HNO3为氧化剂,乙二胺四乙酸(EDTA)为络合剂,LiF为矿化剂,以NH3·H2O为催化剂促进TEOS水解,同时调节溶液体系pH。其中: EDTA可以很好络合Ce3+,LiF用于降低ZrSiO4的合成温度。采用溶胶–凝胶法制备前驱体: 按照n(Ce(NO3)3·6H2O)∶n(ZrCl4)=1∶1,n(EDTA)∶n(Ce)∶n(Zr)=1∶1∶1,n(Zr)∶n(Si)=1∶1(n为摩尔数),先用氨水将EDTA溶于去离子水中形成澄清液A,随后将Ce(NO3)3·6H2O,ZrCl4,EDTA,TEOS与LiF依次溶于澄清液A中并搅拌1 h,再按照摩尔比EDTA(还原剂)∶HNO3(氧化剂)=1∶1加入HNO3,并加入氨水调节pH为7。磁力搅拌均匀,得到溶液B;将上述溶液B置于80 ℃烘箱中烘干12 h,使水分蒸发得到粘稠的凝胶,再将凝胶放入750~900 ℃马弗炉中预烧保温1 h,自然冷却至室温,取出研磨制备成前驱体粉末。

1.2 硫化升温包裹

将上述前驱体粉末装入Al2O3瓷舟中,放入管式气氛炉中,首先将管式炉抽真空至真空度为1×10−3 Pa,以除去炉内空气,随后用Ar以200 ml·min−1的速率填充作为保护气氛,以5 ℃·min−1的速率升温至300 ℃后,将Ar通入CS2中,采用鼓泡的方式载入CS2为硫源,继续以5 ℃·min−1升温至900 ℃硫化1.5 h,再切至Ar气氛下以5 ℃·min−1的速率升温至1300 ℃保温90 min,自然冷却至室温,得到包裹色料。

1.3 样品表征

采用日本JEOL公司生产的JSM-6700E型场发射电子显微镜(FE-SEM)分析ZrSiO4和包裹色料的形态和微观结构。使用德国Bruker公司生产的D8-Advance型X射线粉末衍射仪(XRD)分析产物物相组成。使用日本JEOL公司生产的JEM-2010型高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)测试色料的包裹形态和硅酸锆相。使用德国NETZSCH公司生产的STA449C型热分析仪进行热重分析(TG)和差示扫描量热分析(DSC)。使用中国杭州研特科技有限公司生产的ACM402型颜色分析仪测量色度数据(使用CE实验室参数),其中L*,a*和b*分别表示亮度、红色和黄色值。使用美国Thermo公司生产的Nicolet5700型Fourier红外光谱分析仪(FTIR)在400~4000 cm−1的范围内对具有不同预烧结温度的凝胶转变和前驱体粉末进行表征。

2 结果与讨论

2.1 前驱体在不同硫化温度下的性能分析

图1为铈硅锆摩尔比n(Ce)∶n(Si)∶n(Zr)=1∶1.2∶1.4时不同预烧温度下的前驱体和前驱体在不同温度下硫化后产物的XRD图谱。由图1(a)可见,不同预烧温度下所合成的前驱体粉末中主晶相衍射峰均与CeO2的标准卡片(PDF#75-0046)相吻合。其中随着预烧温度的升高,CeO2相衍射峰强度有所增加,在预烧温度为800 ℃下,开始逐渐显现出ZrO2的衍射峰,但是并未出现SiO2的衍射峰。这是因为制备的前驱体凝胶在预烧时,凝胶中的有机物在炉内点燃后会迅速发生剧烈的氧化反应,使体系的绝热温度达到1500 ℃以上,SiO2由于温度过高会形成玻璃相。

图1 不同预烧温度下前驱体以及前驱体在不同温度下硫化后的XRD图谱
Fig.1 (a) XRD patterns of precursor at different pre firing temperatures;(b) XRD patterns of precursor after vulcanization at different curing temperatures

当预烧温度为900 ℃时CeO2与ZrO2的晶化程度最好,故选预烧温度为900 ℃的前驱体为宜。从图1(b)前驱体在不同温度下硫化后的XRD图谱,可见在750和800 ℃硫化温度下所得样品不仅出现了ZrSiO4和γ-Ce2S3的衍射峰,还出现了Zr2S9的衍射峰。由于ZrO2在未转化成ZrSiO4之前,Zr比Ce更易与S结合生成锆硫化合物。但是将硫化温度升到850 ℃时Zr2S9衍射峰减弱,ZrSiO4的衍射峰开始增强,温度升至900 ℃的时,Zr2S9的衍射峰已经消失,并且ZrSiO4的峰强最强,此时ZrSiO4的晶化程度最好。因为CS2在900 ℃以上会分解[13],故选择硫化温度最高为900 ℃。

进一步对不同硫化温度的粉体进行了FTIR表征,结果如图2所示,可见位于在1074 cm−1左右有吸收峰,其对应为Si–O–Zr伸缩振动峰[14–15],在465 cm−1左右处对应的是Si–O–Si摇摆振动峰。而636 cm−1左右处对应的是Zr–F键的伸缩振动峰。表明所合成的ZrSiO4并非单纯Zr–O–Si键联的ZrSiO4,而是还连接有F的氟基硅酸锆(Zr(SiO4)1–xF4x),F的存在是由于引入的矿化剂LiF导致的,由于F−有着较小的半径与较高的电负性,在反应过程中可以较容易进入硅酸锆结构,从而形成Zr–F键。这一结果与雷丙龙[16]研究报道相一致。其反应过程可以归纳为: 4 Zr 4 + + 24 H 2 O → [ Zr 4 ( OH ) 8 ( OH 2 ) 16 ] 8 + + 8 H + (1) [ Zr 4 ( OH ) 8 ( OH 2 ) 16 ] 8 + + 8 OH − → 4 ZrO 2 + 24 H 2 O (2) Si 4 + + 4 OH − + ( 4 − 4 x ) F − → Si ( OH 1 − x ⋅ F x ) 4 (3) ZrO 2 + ( 1 − y ) Si ( OH 1 − x ⋅ F x ) 4 → Zr ( SiO 4 ) 1 − y ( OH 1 − x ⋅ F x ) 4 y + ( 2 − 4 y ) H 2 O (4)

图2 前驱体在不同硫化温度下的FTIR图谱
Fig.2 FTIR spectra of precursor at different sulfurization temperatures

图3为前驱体在不同硫化温度下的色料粉体色度图,可以看出随着前驱体硫化温度的升高,硫化产物的a*值也随之升高。当前驱体硫化温度升高到900 ℃时,此时a*值最高,并且从色料图片可以看到色料产物已经呈较好的红色(L*=30.01,a*=30.22,b*=28.21)。由图1(b)可知,随着前驱体硫化温度的升高,ZrSiO4的结晶程度更好,色料中的Zr都转化为了ZrSiO4,并无杂质生成。但当色料硫化温度为750和800 ℃时色料产物颜色发黑,结合XRD图谱分析,证实锆与硫结合生成了黑色的硫化锆,使得色料成品发黑,从850 ℃开始色料a*值、L*值成上升趋势。当硫化温度到900 ℃时,此时ZrSiO4的晶化程度最好,a*值最高,色料发色最好。

图3 前驱体在不同硫化温度下产物的色度图
Fig.3 Chromaticity images of precursor products at different vulcanization temperatures

图4为不同硫化温度下γ-Ce2S3@ZrSiO4的SEM图像,可以看出,在750 ℃下的色料粉体颗粒较小,为0.5~1 μm,色料粉体颗粒大量团聚黏接在一起,颗粒呈现不规则形貌,并且其表面有大量不规则小颗粒(图4(a));当硫化温度提高到800 ℃时,颗粒开始长大,粒径略微增加,颗粒较为分散,其团聚程度明显降低,此时有少部分SiO2与ZrO2结合形成ZrSiO4(图4(b));当硫化温度提高到850 ℃时,颗粒较大且有轻微团聚,颗粒表面开始出现柱状晶粒(图4(c));当硫化温度提高到900 ℃时,已经出现了很明显并且发育良好的柱状晶粒,此时ZrSiO4结晶良好。结果表明,前驱体在900 ℃下硫化更有利于得到分散性更好,结晶状态良好的ZrSiO4颗粒,所以最佳硫化温度为900 ℃。

图4 不同硫化温度下γ-Ce2S3@ZrSiO4的SEM图像
Fig.4 SEM images of γ-Ce2S3@ZrSiO4 at different vulcanization temperatures
(a) 750 ℃; (b) 800 ℃; (c) 850 ℃; (d) 900 ℃

2.2 不同物料比对包裹色料的影响

图5为在前驱体硫化温度为900 ℃的条件下,不同铈锆比的前驱体及其硫化产物的XRD图谱。从图5(a)可以看出,在n(Ce)∶n(Zr)=1∶0.8的时开始出现ZrSiO4的衍射峰,ZrSiO4的衍射峰强度随着n(Zr)比例的增加逐渐增强,但并没有见到SiO2的衍射峰,说明SiO2可能以玻璃态或者无定型态存在。而CeO2的特征峰从n(Ce)∶n(Zr)=1∶0.8开始并没有明显变化。当n(Ce)∶n(Zr)=1∶1.6时,ZrSiO4的衍射峰强度达到峰值,当增加锆的含量n(Ce)∶n(Zr)=1∶1.8时,衍射峰变化不明显。图5(b)为不同铈锆比的硫化产物的XRD图谱,可见,随着Zr比例的增加,ZrSiO4的衍射峰强度也随之增强,选取2θ=26.8°(ZrSiO4)特征峰,可见,随着Zr比例的增加,ZrSiO4相对于γ-Ce2S3其衍射峰高度一直呈上升趋势。但是色料产物的a*值也随之先升高再降低。这是因为在Zr占比较少时,此时前驱体单位色料中包裹物ZrSiO4相对含量较少。在硫化升温过程中并未对色料进行很好保护,导致色料产物颜色发黑。从图6不同铈锆比的硫化产物的色度图发现,从n(Ce)∶n(Zr)=1∶0.8开始,硫化产物的颜色开始变红,这是因为前驱体中ZrSiO4含量相比较多,在CeO2硫化升温过程中那能对其进行很好的保护。但是从n(Ce)∶n(Zr)=1∶1.4开始色料产物开始发黑。应该是过多的Zr在硫化过程中与CS2在高温下反应生成黑色的Zr9S2,导致色料产物颜色发黑。硫化产物中a*值随n(Ce)∶n(Zr)的比例减小呈一个先上升后下降的趋势,在n(Ce)∶n(Zr)=1∶1.0时a*值最高;并且可以看出n(Ce)∶n(Zr)=1∶1.0时色料颜色最好,此时包裹剂与着色剂γ-Ce2S3比例更有利于色料的发色。

图5 不同铈锆比的前驱体和硫化产物的XRD图谱
Fig.5 XRD patterns of precursor (a) and vulcanization products (b) with different n(Ce)∶ n(Zr) ratios
图6 不同铈锆比的硫化产物的色度图
Fig.6 Chromaticity images of vulcanization products with different n(Ce)∶ n(Zr) ratios

为了验证ZrSiO4已经将γ-Ce2S3包裹在内,而不是两相简单混合,对色料进行SEM分析。图7为n(Ce)∶n(Zr)=1∶1.0时硫化后色料产物不同放大倍数的SEM图像,由图7(a)可以看出,样品由一些颗粒尺寸为0.5~4 μm的小颗粒团聚形成了团聚体,由图7(b)局部放大图可以看到,这些小颗粒表面圆滑,其表面覆盖了一层白色的ZrSiO4包裹体,表明ZrSiO4包裹体能很好的把γ-Ce2S3色料颗粒包覆致密。同时也可以看到,包裹色料的表面上存在少量微细的ZrO2白色颗粒,这与图5(b)结果一致。为了进一步确认其包裹结构,对包裹色料做了TEM测试与EDS分析,结果如图8所示。可以看到,γ-Ce2S3的包裹不是简单的颗粒混合,而是γ-Ce2S3被ZrSiO4镶嵌包裹,其中透明物质不均匀的分散在γ-Ce2S3周围,对透明区域及黑色区域分别进行EDS分析,结果表明,透明区域1由Zr,Si和O元素组成,结合XRD分析结果证明其是ZrSiO4晶体;中间黑色区域2由Ce与S元素组成,结合XRD分析结果证明其为γ-Ce2S3。图8(c)的透明区域1的HRTEM图像显示了清晰的晶格条纹,表明样品有良好的结晶度,通过计算得出其晶面间距d值约为0.326 nm,这与硅酸锆在(200)衍射峰的对应的d值(0.330 nm)基本一致(JCPDS80-1809)[17],充分说明了是ZrSiO4将γ-Ce2S3包裹在内部,而不是简单的两相混合。

图7 n(Ce)∶n(Zr)=1∶1.0时硫化后色料产物不同放大倍数的SEM图像
Fig.7 SEM images of vulcanization products with n(Ce)∶n(Zr)=1∶1.0 under different magnifications (a,b)
图8 n(Ce)∶n(Zr)=1∶1.0时硫化后色料产物的TEM图像及EDS结果
Fig.8 TEM images (a~c) and EDS results (d,e) of vulcanization products with n(Ce)∶n(Zr)=1∶1.0
(a,b) TEM images; (c) HRTEM image of Area 1;EDS results of Area 1 (d) and Area 2 (e)

相较于核壳结构,镶嵌结构的包裹色料在使用过程中若被损坏,只会损坏到外层镶嵌较浅的色料,镶嵌在内部较深位置的色料会得到保护[18]。而核壳结构的包裹色料外壳一旦被破坏,便失去了对色料的保护效果。镶嵌结构的形成经过以下3个阶段: 1) ZrCl4的水解: 2ZrCl4+4H2O→2ZrO2+8HCl。该反应是一种羧化还原反应,即水分子将ZrCl4中的氯原子转化为氯离子,将锆原子转化为锆离子。随着氨水的添加溶液的pH升高,Ce(NO3)3⋅6H2O水解形成Ce(OH)4胶体粒子,TEOS经过脱水缩合形成Si(OH)4附着Ce(OH)4周围;2) 经过干燥和高温预烧处理后形成ZrO2,SiO2和ZrSiO4,CeO2随机镶嵌分布其中;3) 经过硫化升温煅烧形成了ZrSiO4包裹的γ-Ce2S3大红色料。

取上述γ-Ce2S3@ZrSiO4色料进行差热分析,结果如图9所示。可以看出,色料的氧化分为3步,第一步在469.2 ℃左右,该温度与包裹色料γ-Ce2S3@SiO2的氧化点接近。研究表明,该放热峰的产生这是由于γ-Ce2S3在空气中起始氧化的过程中会生成中间产物Ce4O4S3并释放反应热导致的[19],因而可将出现该峰所对应的温度点作为判断γ-Ce2S3的在氧化气氛下温度稳定性的重要依据;第二步的剧烈氧化发生在513 ℃左右,该温度点接近于γ-Ce2S3@ZrO2的氧化温度点,前两个放热峰的形成可能是因为有部分未反应完全的SiO2与ZrO2游离在色料周围并对色料颗粒形成了初步保护。而γ-Ce2S3@ZrSiO4色料放热峰为610.3 ℃,相比未包裹γ-Ce2S3色料有260 ℃的提升[20]。并且最终色料的质量增加峰值为1.35%。这可能是由于ZrSiO4具有更佳的抗热震性能,能够更好的抵消外界热震动对γ-Ce2S3内部晶格的作用,使其能稳定存在[21]。其次,通过这种SiO2,ZrO2与ZrSiO4的复合包裹也使得γ-Ce2S3外包裹层厚度有一定的增加,能够更好的阻隔外界O2与γ-Ce2S3的接触,从而对内部色料起到更好的保护。

图9 n(Ce)∶n(Zr)=1∶1.0时硫化后色料产物的DSC和TG曲线
Fig.9 DSC and TG curves of vulcanization products with n(Ce)∶n(Zr)=1∶1.0

3 结论

以TEOS为硅源,Ce(NO3)3·6H2O为铈源,ZrCl4为锆源,HNO3为氧化剂,EDTA为络合剂,LiF为矿化剂,利用溶胶-凝胶法制备了Ce-Si-Zr-O前驱体粉末,将前驱体粉末一定温度下硫化后继续升温,制备了γ-Ce2S3@ZrSiO4包覆色料。通过对前驱体不同温度下的硫化与不同物料配比的研究,得到以下结论: 当前驱体溶液的n(Ce)∶n(Zr)=1∶1.0时,前驱体粉末在900 ℃硫化保温形成了α-Ce2S3并合成发育较好的ZrSiO4包裹晶体,进一步在氩气的保护气氛下升温至1300 ℃,最终获得了抗氧化温度性能良好(抗氧化温度为610.3 ℃)且颜色鲜艳(L*=30.26,a*=37.71,b*=29.24)的γ-Ce2S3@ZrSiO4包裹型大红色料。

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