电介质作为电容器的核心部件,其性能直接决定了电容器的最终性能。传统的烧结陶瓷介电材料尽管存在高的介电常数,但是烧结过程中很难完全消除气孔,导致击穿场强不高,限制了储能密度的提高[1–4]。玻璃陶瓷介电材料是一种通过熔融-快冷-可控结晶工艺制备的玻璃相与陶瓷相共存的复合材料,实现了完全致密,拥有高击穿场强,而且通过可控结晶工艺析出高介电常数陶瓷相,使玻璃陶瓷拥有高介电常数。因此玻璃陶瓷介电材料作为一种新型介电储能材料在高压电容器应用领域具有较好的前景[5–8]。
玻璃陶瓷的介电性能与析出陶瓷相的种类和数量密切相关[9–14]。近年来,研究人员对玻璃陶瓷介电性能与陶瓷相的相关性展开了研究。玻璃陶瓷介电性能的提升需要增加高介电常数陶瓷相的析出,Li等[15]研究了结晶时间对BaO-SrO-Na2O-Nb2O5-SiO2玻璃陶瓷体系介电性能的影响,结果发现,析出的陶瓷相种类并没有随着结晶时间的延长而改变,但陶瓷晶粒尺寸随结晶时间的延长而增大,介电常数在长时间结晶后明显提升。在BaO-SrO-Nb2O5-B2O3-SiO2玻璃陶瓷体系中,Liu等[16]研究了CeO2的添加对体系结晶动力学和介电性能的影响,结果表明,体系中添加一定比例的CeO2可以促进(Sr0.75Ba0.25)Nb2O6晶相的形成,介电常数也随之增加。Du等[17]研究了Na2O-PbO-Nb2O5-SiO2体系的介电性能,发现850 ℃退火3 h的样品得到了最高600左右的介电常数和约0.03的较低介电损耗。此外,A位二价元素取代可以改善玻璃陶瓷体系中的介电性能。Han 等[18]研究了在[(1-x)PbO-xBaO]-Na2O-Nb2O5-SiO2玻璃陶瓷中的A位用Ba取代Pb的效果,发现[(1-x)PbO-xBaO]-Na2O-Nb2O5-SiO2玻璃陶瓷的介电性能对x值有很强的依赖性。优化x值可以显着提高玻璃陶瓷系统的介电性能。在PbO-SrO-Na2O-Nb2O5-SiO2玻璃陶瓷体系中,Liu等[19]研究了PbO和SrO含量对玻璃陶瓷体系结晶和介电性能的影响。6% SrO(摩尔分数)样品在900 ℃下保温3 h获得了最佳的介电性能:介电常数达到了~600,介电损耗实现了0.015。
从目前研究人员对玻璃陶瓷介电性能与陶瓷相的相关性研究可以发现,通过优化铌酸盐玻璃陶瓷体系中陶瓷相的析出种类和晶粒尺寸可以有效改善体系介电性能,目前报道的玻璃陶瓷的介电常数普遍不大,一般在几百的范围,且介电损耗偏大,发展具有高介电常数、低介电损耗的玻璃陶瓷对高压电容器具有重要的应用价值。基于此,本文在铌酸盐玻璃陶瓷体系中引入一定比例钛酸盐,对BaO-SrO-PbO-TiO2-Nb2O5-SiO2玻璃陶瓷体系中TiO2和Nb2O5含量的变化对体系相演变及介电性能的影响进行了探索,以期望获得具有高介电常数和低介电损耗的玻璃陶瓷材料。
实验样品的成分为3.2BaO-24SrO-11PbO-xTiO2-(36-x)Nb2O5-25.8SiO2 (x=8,10,12,14,16)。将氧化物原料按照表中比例混合均匀后放入铂金坩埚中,粉末在1450 ℃下熔融3 h后浇入600 ℃预热的不锈钢模具中形成玻璃块,然后将玻璃块快速放入600 ℃的退火炉中保温2 h以减少内应力。
取约0.5 g玻璃研磨成粉后进差热分析(DTA,SDT 2960),分别选择5,10,15和20 ℃·min−1 的升温速率对粉末进行测试。根据测试结果,分别选择在800,900和1000 ℃对不同组分的玻璃样品进行晶化处理。通过X射线衍射(XRD,MSAL-XD2)在室温下进行物相分析,2θ范围为20°~70°。用扫描电子显微镜(SEM,Hitachi S4800)对样品表面微观形貌进行观察。介电常数随温度的变化通过精密LCR阻抗分析仪(HP-4284A)结合高低温烘箱测得。使用铁电测试仪(RT661)在室温下测量样品的极化曲线。将所有玻璃陶瓷样品浸入硅油中以避免沿面击穿。
不同组分的玻璃粉在不同升温速率测试的差热分析曲线如图1所示,可以看出所有样品在不同速率下得到的曲线中只有一个明显的放热峰。随着升温速率的增加,放热峰峰值逐渐增大,放热峰的峰值温度(Tp)向高温偏移。通过Kissinger方程式可以计算出样品结晶活化能的数值:[empty formula](1)式中,Tp为DTA曲线中放热峰峰值,K;φ为升温速率,K·mm−1; Ea为析晶活化能,kJ·mol−1;R为气体常数,取值8.314 J·mol−1·K−1。图2为和的线性拟合图,通过图中的直线斜率Ea/R可以计算出结晶活化能Ea。结晶活化能数值如表1所示,可以看出,随着x值的增加,结晶活化能数值逐渐下降,x=16样品的结晶活化能最低,意味着玻璃样品由玻璃态向晶态转化时,需要最少的活化能克服结构单元重排时的势垒,最容易发生析晶行为。结晶活化能越高,意味着析晶过程需要更多的活化能克服结构单元重排时的势垒,析晶更困难。
不同组分的样品在玻璃态及在800,900和1000 ℃结晶处理3 h后的XRD图谱如图3所示,不同组分的样品基础玻璃的XRD图谱均呈现出明显的非晶态特征,在衍射角度约30°附近均出现宽衍射峰。800 ℃结晶处理后可以明显看出,主晶相衍射峰强度随x值升高逐渐增强,说明玻璃陶瓷样品晶化程度逐渐升高,与样品的结晶活化能变化规律相吻合。结晶处理后的玻璃陶瓷样品中均析出了烧绿石结构的Pb2Nb2O7相,且随着x值的上升,Pb2Nb2O7相衍射峰强度逐渐增强,说明TiO2/Nb2O5比例的升高促进了Pb2Nb2O7相的析出。x=14和16的两组玻璃陶瓷样品中钨青铜结构的(Ba,Sr,Pb)Nb2O6和钙钛矿结构的(Sr,Pb)TiO3陶瓷相衍射峰强度较弱,说明析出的相含量较少,另外3组玻璃陶瓷样品中的(Ba,Sr,Pb)Nb2O6和(Sr,Pb)TiO3陶瓷相衍射峰强度较高。结晶温度上升到900 ℃后,x=8,10和12的玻璃陶瓷样品中的Pb2Nb2O7相消失,其他两组玻璃陶瓷样品中存在Pb2Nb2O7相。1000 ℃结晶处理后,x=14和16的玻璃陶瓷样品中依然存在Pb2Nb2O7相,但衍射峰强度比900 ℃结晶处理后的样品明显减弱。x=12样品的(Ba,Sr,Pb)Nb2O6和(Sr,Pb)TiO3相衍射峰强度最强。
图4为不同组分的样品在1000 ℃结晶处理后的SEM图像,可以看出,样品颗粒近似球形,样品中晶粒尺寸多数分布在100~300 nm范围,存在大小不均匀的现象,这可能和析出多种陶瓷相有关。
不同组分样品的介电性能如图5所示,可以看出,不同组分玻璃陶瓷样品的介电常数均随结晶温度的升高而增大,介电损耗也表现出了相同的规律。玻璃基体经过800和900 ℃结晶处理后,随着x值的增大,介电常数呈现逐渐下降的趋势,这主要是由于样品中TiO2/Nb2O5比例的升高促进了低介电常数烧绿石结构Pb2Nb2O7相的析出,从而导致玻璃陶瓷样品整体介电常数的降低,这与XRD分析结果是一致的[20]。玻璃基体经过1000 ℃结晶处理后,随着x值的增高,介电常数表现出先升高后降低的规律,x值在8~12范围内时,介电常数随x值升高而增大,这可能是由于TiO2/Nb2O5比例的升高促进了钙钛矿结构钛酸盐陶瓷相的析出,同时抑制了钨青铜结构铌酸盐相的生成,而钛酸盐陶瓷相相较于铌酸盐陶瓷相具有更高的介电常数,因此体系的介电常数获得进一步提高。x值在14~16范围内时,介电常数随x值升高而下降,这与低介电常数Pb2Nb2O7相的析出有关。x=10和12的璃陶瓷样品均获得了超过1000的介电常数,其中TiO2含量为12%,Nb2O5含量为24%的玻璃陶瓷样品(x=12)获得了最高的1310的介电常数,介电损耗在0.0093的较低水平,由于体系中没有引入半径较小的碱金属离子,因此损耗可以保持在0.01以下。相对目前报道的介电常数仅有几百的铌酸盐体系[12–16],制备的BaO-SrO-PbO-TiO2-SiO2-Nb2O5体系玻璃陶瓷有效提升了介电常数(~1310),损耗也控制在小于0.01的较低水平。

不同组分的样品在800,900和1000 ℃结晶处理后介电常数随温度的变化曲线如图6所示,测试频率为1 kHz,测试温度为-40~80 ℃。可以看出,800 ℃结晶处理后的玻璃陶瓷样品均表现为负温度系数特性,随着结晶处理温度的升高,不同组分的玻璃陶瓷样品的介电常数对温度的依赖性有所增加,这可能与不同组分、不同热处理温度下生成的不同相组成密切相关。值得一提的是,TiO2含量为10%,Nb2O5含量为26%的样品(x=10)经过1000 ℃结晶处理后,介电常数在-40~80 ℃温度范围内波动幅度小于10%,同时介电常数保持在1000以上。

不同组分的样品经过1000 ℃结晶处理后的极化曲线如图7(a)所示,测试的电场强度范围是0~6 kV·mm−1,可以明显看出,样品的最大极化强度变化与介电常数的变化规律相一致,各样品极化曲线都比较纤细,剩余极化强度较小,充放电过程中能量损失较小,表明该材料具有较高的能量释放效率,这主要是由于在这个温度下存在网状结构的非晶相和纳米尺寸顺电陶瓷相的原因[21]。图7(b)为x=12的玻璃陶瓷样品在800,900和1000 ℃结晶处理后的极化曲线,随着结晶温度的升高,最大极化强度在不断增加,同时剩余极化强度也有一定幅度的增大,这主要与陶瓷相从玻璃基体中析出长大有关。
采用熔融-快冷-可控结晶技术制备了不同TiO2和Nb2O5含量的BaO-SrO-PbO-TiO2-Nb2O5-SiO2玻璃陶瓷,并对其结晶行为和介电性能进行了研究。XRD分析显示,样品在800 ℃结晶处理后析出烧绿石结构Pb2Nb2O7相、钨青铜结构(Ba,Sr,Pb)Nb2O6相和钙钛矿结构(Sr,Pb)TiO3相,其中Pb2Nb2O7相衍射峰强度随x值的上升而增强。900和1000 ℃结晶处理后,x=8,10和12的玻璃陶瓷样品中的Pb2Nb2O7相消失,x=14和16的玻璃陶瓷样品中Pb2Nb2O7相衍射峰强度随结晶处理温度的上升而下降。介电性能测试结果表明,800 ℃结晶处理样品的介电常数随x值增加而减小,玻璃陶瓷中Pb2Nb2O7相衍射峰强度越高,介电常数越小。玻璃陶瓷介电常数随结晶处理温度的升高而增加,其中TiO2含量为12%,Nb2O5含量为24%的玻璃陶瓷样品(x=12)获得了最高1310的最大介电常数,同时介电损耗在0.0093的较低水平。TiO2含量为10%、Nb2O5含量为26%的玻璃陶瓷样品(x=10)虽然介电常数略有降低,但介电常数依然大于1000,介电损耗更小,同时拥有较好的介电常数温度稳定性,介电常数在-40~80 ℃温度范围内波动幅度小于10%。相对目前报道的介电常数仅有几百的铌酸盐体系,通过熔融-快冷-可控结晶技术制备的BaO-SrO-PbO-TiO2-SiO2-Nb2O5体系有效提升了介电常数,损耗也控制在小于0.01的较低水平。
Gerson R,Marshall T. Dielectic breakdown of porous ceramics[J].Journal of Applied Physics,1959,30(11):1650.
Chen J C,Zhang Y,Deng C S,Dai X M. Improvement in the microstructures and dielectric properties of barium titanate glass-ceramics by AlF3/MnO2 addition[J].Journal of the American Ceramic Society,2009,92(8):1863.
Young A,Hilmas G,Zhang S C,Schwartz R W. Effect of liquid-phase sintering on the breakdown strength of barium titanate[J]. Journal of the American Ceramic Society,2007,90(5):1504.
Gorzkowski E P,Pan M J,Bender B A. Effect of additives on the crystallization kinetics of barium strontium titanate glass-ceramics[J].Journal of the American Ceramic Society,2008,91(4):1065.
Cheng C T,Lanagan M,Jones B,Lin J T,Pan M J. Crystallization kinetics and phase development of PbO-BaO-SrO-Nb2O5-B2O3-SiO2 based glass-ceramics[J].Journal of the American Ceramic Society,2005,88(11):3037.
Layton M M,Herczog A. Nucleation and crystallization of NaNbO3 from glasses in the Na2O-Nb2O5-SiO2 system[J].Journal of the American Ceramic Society,1967,50(7):369.
Li C,Zhang Q M,Tang Q,Zhou H,Tan F H,Du J. Dielectric and energy storage properties of BaO-SrO-Na2O-Nb2O5-SiO2 glass-ceramics with different crystallization times[J].Journal of Electronic Materials,2016,45(6):3025.
Liu T Y,Chen G H,Song J,Yuan C L. Crystallization kinetics and dielectric characterization of CeO2-added BaO-SrO-Nb2O5-B2O3-SiO2 glass-ceramics[J].Ceramics International,2013,39(5):5553.
Du J,Jones B,Lanagan M. Preparation and characterization of the dielectric glass-ceramics in Na2O-PbO-Nb2O5-SiO2 system[J].Materials Letters,2005,59(22):2821.
Han D F,Zhang Q M,Luo J,Tang Q,Du J. Glass-ceramic nanocomposites in the [(1-x)PbOxBaO]-Na2O-Nb2O5-SiO2 system:crystallization and dielectric performance[J].Solid State Sciences,2012,14(6):661.
Liu W,Mao C H,Dong G X,Du J. Effects of PbO and SrO contents on crystallization and dielectric properties of PbO-SrO-Na2O-Nb2O-SiO2 glass-ceramics system[J].Ceramics International,2009,35(3):1261.
Hulm J K. Low temperature dielectric properties of cadmium and lead niobates[J].Physical Review,1953,92(2):504.